Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Epitaksiyel (EPI) Silikon Gofret

Tanım

Epitaksiyel Silikon Gofretveya EPI Silikon Gofret, epitaksiyel büyüme ile bir silikon substratın cilalı kristal yüzeyi üzerine bırakılan yarı iletken kristal tabakadan oluşan bir gofrettir.Epitaksiyel katman, homojen epitaksiyel büyüme ile substrat ile aynı malzeme veya epitaksiyel büyüme teknolojisini benimseyen heterojen epitaksiyel büyüme ile arzu edilen spesifik kaliteye sahip egzotik bir katman olabilir; kimyasal buhar biriktirme CVD, sıvı faz epitaksi LPE ve moleküler ışın düşük kusur yoğunluğu ve iyi yüzey pürüzlülüğünde en yüksek kaliteyi elde etmek için epitaxy MBE.Silikon Epitaksiyel Gofretler öncelikle gelişmiş yarı iletken cihazların, yüksek düzeyde entegre yarı iletken elemanların IC'lerinin, ayrık ve güç cihazlarının üretiminde kullanılır, ayrıca diyot ve transistör elemanı veya bipolar tip, MOS ve BiCMOS cihazları gibi IC için substrat için de kullanılır.Ayrıca, çok katmanlı epitaksiyel ve kalın film EPI silikon levhalar genellikle mikroelektronik, fotonik ve fotovoltaik uygulamalarında kullanılır.

Teslimat

Western Minmetals (SC) Corporation'daki Epitaksiyel Silikon Gofretler veya EPI Silikon Gofretler, <100>, <111>, epilayer direnci <1ohm ile 4, 5 ve 6 inç (100mm, 125mm, 150mm çap) boyutlarında sunulabilir. -cm veya 150ohm-cm'ye kadar ve epilayer kalınlığı <1um veya 150um'ye kadar, kazınmış veya LTO işleminin yüzey kaplamasındaki çeşitli gereksinimleri karşılamak için, karton kutu dışında kaset içinde paketlenmiş veya mükemmel çözüm için özelleştirilmiş spesifikasyon olarak .

Şimdi soruşturma

Detaylar

Etiketler

Teknik özellik

Epi Silikon Gofret

Epitaksiyel Silikon Gofretlerveya Western Minmetals (SC) Corporation'da EPI Silicon Wafer, <100>, <111>, epilayer direnci <1ohm-cm veya 150ohm-cm'ye kadar ve epilayer kalınlığı <1um veya 150um'ye kadar, kazınmış veya LTO işleminin yüzey kaplamasındaki çeşitli gereksinimleri karşılamak için, karton kutu dışında kaset içinde paketlenmiş veya mükemmel çözüm için özelleştirilmiş spesifikasyon olarak.

Sembol	Si
Atomik numara	14
Atom ağırlığı	28.09
Eleman Kategorisi	metaloid
Grup, Dönem, Blok	14, 3, P
Kristal yapı	Elmas
Renk	Koyu gri
Erime noktası	1414°C, 1687.15 K
Kaynama noktası	3265 °C, 3538,15 K
300K'da yoğunluk	2.329 gr/cm3³
içsel direnç	3.2E5 Ω-cm
CAS numarası	7440-21-3
AT Numarası	231-130-8

Numara.	Öğeler	Standart Şartname
1	Genel özellikleri
1-1	Boyut	4"	5"	6"
1-2	çap mm	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	Oryantasyon	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Epitaksiyel Tabaka Özellikleri
2-1	Büyüme Yöntemi	özgeçmiş	özgeçmiş	özgeçmiş
2-2	İletkenlik Türü	P veya P+, N/ veya N+	P veya P+, N/ veya N+	P veya P+, N/ veya N+
2-3	Kalınlık μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	Kalınlık Tekdüzeliği	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Direnç Ω-cm	0.1-50	0.1-50	0.1-50
2-6	Direnç Tekdüzeliği	≤3%	≤5%	-
2-7	Çıkık cm-2	<10	<10	<10
2-8	Yüzey kalitesi	Çip, pus veya portakal kabuğu kalıntısı vs. yok.
3	Kulp Yüzey Özellikleri
3-1	Büyüme Yöntemi	CZ	CZ	CZ
3-2	İletkenlik Türü	P/N	P/N	P/N
3-3	Kalınlık μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Kalınlık Tekdüzelik max	3%	3%	3%
3-5	Direnç Ω-cm	Gereğince, gerektiği gibi	Gereğince, gerektiği gibi	Gereğince, gerektiği gibi
3-6	Direnç Tekdüzeliği	5%	5%	5%
3-7	TTV mikron maks	10	10	10
3-8	Yay μm maks	30	30	30
3-9	Çözgü μm maks	30	30	30
3-10	EPD cm-2 maks	100	100	100
3-11	Kenar Profili	yuvarlak	yuvarlak	yuvarlak
3-12	Yüzey kalitesi	Çip, pus veya portakal kabuğu kalıntısı vs. yok.
3-13	Arka Taraf Bitirmek	Kazınmış veya LTO (5000±500Å)
4	Paketleme	İçi kaset, dışı karton kutu.

Silikon Epitaksiyel Gofretleröncelikle gelişmiş yarı iletken cihazların, yüksek düzeyde entegre yarı iletken elemanların IC'lerinin, ayrık ve güç cihazlarının üretiminde kullanılır, ayrıca bipolar tip, MOS ve BiCMOS cihazları gibi IC için diyot ve transistör veya substrat elemanı için kullanılır.Ayrıca, çok katmanlı epitaksiyel ve kalın film EPI silikon levhalar genellikle mikroelektronik, fotonik ve fotovoltaik uygulamalarında kullanılır.