Galyum Arsenid GaAs

Tanım

galyum arsenitGaAs bir En az 6N 7N yüksek saflıkta galyum ve arsenik elementi tarafından sentezlenen ve yüksek saflıkta polikristalin galyum arsenitten VGF veya LEC işlemiyle büyütülen kristal, grup III-V'nin doğrudan bant boşluklu bileşik yarı iletkeni, gri renkli görünüm, çinko-blend yapılı kübik kristaller.Sırasıyla n-tipi veya p-tipi ve yarı yalıtkan iletkenlik elde etmek için karbon, silikon, tellür veya çinko katkılanmasıyla, silindirik bir InAs kristali dilimlenebilir ve kesim, dağlama, cilalı veya epi olarak boş ve gofret olarak üretilebilir. -MBE veya MOCVD epitaksiyel büyümeye hazır.Galyum Arsenid levha esas olarak kızılötesi ışık yayan diyotlar, lazer diyotlar, optik pencereler, alan etkili transistörler FET'ler, dijital IC'lerin lineer ve güneş pilleri gibi elektronik cihazları imal etmek için kullanılır.GaAs bileşenleri, ultra yüksek radyo frekanslarında ve hızlı elektronik anahtarlama uygulamalarında, zayıf sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanışlıdır.Ayrıca, Gallium Arsenide substrat, doyurucu salon hareketliliği, yüksek güç ve sıcaklık kararlılığı için RF bileşenlerinin, mikrodalga frekansının ve monolitik IC'lerin ve optik iletişim ve kontrol sistemlerinde LED cihazlarının üretimi için ideal bir malzemedir.

Teslimat

Western Minmetals (SC) Corporation'daki Galyum Arsenid GaA'lar, 2" 3" 4" ve 6" (50 mm) boyutlarında kesilmiş, dağlanmış, cilalanmış veya epi-hazır gofretlerde polikristal topak veya tek kristal gofret olarak tedarik edilebilir. 75mm, 100mm, 150mm) çap, p-tipi, n-tipi veya yarı yalıtkan iletkenlik ve <111> veya <100> yönelimli.Özelleştirilmiş spesifikasyon, dünya çapındaki müşterilerimize mükemmel çözüm içindir.

Şimdi soruşturma

Detaylar

Etiketler

Teknik özellik

galyum arsenit

GaAs

Galyum Arsenid GaAsgofretler esas olarak kızılötesi ışık yayan diyotlar, lazer diyotlar, optik pencereler, alan etkili transistörler FET'ler, dijital IC'lerin lineer ve güneş pilleri gibi elektronik cihazları imal etmek için kullanılır.GaAs bileşenleri, ultra yüksek radyo frekanslarında ve hızlı elektronik anahtarlama uygulamalarında, zayıf sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanışlıdır.Ayrıca, Gallium Arsenide substrat, doyurucu salon hareketliliği, yüksek güç ve sıcaklık kararlılığı için RF bileşenlerinin, mikrodalga frekansının ve monolitik IC'lerin ve optik iletişim ve kontrol sistemlerinde LED cihazlarının üretimi için ideal bir malzemedir.

Numara.	Öğeler	Standart Şartname
1	Boyut	2"	3"	4"	6"
2	çap mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0.5	150±0.5
3	Büyüme Yöntemi	VGF	VGF	VGF	VGF
4	İletkenlik Türü	N-Tipi/Si veya Te-katkılı, P-Tipi/Zn-katkılı, Yarı Yalıtımlı/Katkısız
5	Oryantasyon	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°	(100)±0.5°
6	Kalınlık μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Oryantasyon Düz mm	17±1	22±1	32±1	Çentik
8	Tanımlama Düz mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Direnç Ω-cm	(1-9)E(-3) p tipi veya n tipi için, (1-10)E8 yarı yalıtım için
10	Hareketlilik cm2/vs	50-120 p-tipi için, (1-2.5)E3 n-tipi için, ≥4000 yarı izolasyon için
11	Taşıyıcı Konsantrasyonu cm-3	(5-50)E18 p-tipi için, (0.8-4)E18 n-tipi için
12	TTV mikron maks	10	10	10	10
13	Yay μm maks	30	30	30	30
14	Çözgü μm maks	30	30	30	30
15	EPD cm-2	5000	5000	5000	5000
16	Yüzey	P/K, P/P	P/K, P/P	P/K, P/P	P/K, P/P
17	Paketleme	Alüminyum kompozit torba içinde mühürlü tek gofret kabı.
18	Notlar	Mekanik sınıf GaAs gofret de istek üzerine mevcuttur.

Doğrusal Formül	GaAs
Moleküler ağırlık	144.64
Kristal yapı	çinko karışımı
Dış görünüş	Gri kristal katı
Erime noktası	1400°C, 2550°F
Kaynama noktası	Yok
300K'da yoğunluk	5,32 g/cm³
Enerji Boşluğu	1.424 eV
içsel direnç	3.3E8 Ω-cm
CAS numarası	1303-00-0
AT Numarası	215-114-8

Galyum Arsenid GaAsWestern Minmetals (SC) Corporation'da 2” 3” 4” ve 6” (50mm, 75mm, 100mm) boyutlarında kesilmiş, dağlanmış, cilalı veya epi-hazır gofretlerde polikristal topak veya tek kristal gofret olarak tedarik edilebilir. , 150mm) çap, p-tipi, n-tipi veya yarı yalıtkan iletkenlik ve <111> veya <100> yönelimli.Özelleştirilmiş spesifikasyon, dünya çapındaki müşterilerimize mükemmel çözüm içindir.