İndiyum Arsenid InAs

Tanım

İndiyum arsenid InAs kristali, en az 6N 7N saf İndiyum ve Arsenik elementi tarafından sentezlenen ve VGF veya Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) işlemi ile büyütülen grup III-V bileşik yarı iletken, gri renkli görünüm, çinko-blend yapılı kübik kristallerdir. , erime noktası 942 °C.İndiyum arsenit bant aralığı, galyum arsenit ile aynı doğrudan geçiştir ve yasak bant genişliği 0.45eV'dir (300K).InAs kristali, elektrik parametrelerinin yüksek tekdüzeliğine, sabit kafese, yüksek elektron hareketliliğine ve düşük kusur yoğunluğuna sahiptir.VGF veya LEC tarafından büyütülen silindirik bir InAs kristali dilimlenebilir ve MBE veya MOCVD epitaksiyel büyümesi için kesilmiş, dağlanmış, cilalanmış veya epi-hazır olarak gofret halinde üretilebilir.

Uygulamalar

İndiyum arsenit kristal gofret, üstün salon hareketliliği için Hall cihazları ve manyetik alan sensörü yapmak için harika bir substrattır, ancak dar enerji bant aralığı, daha yüksek güç uygulamalarında kullanılan 1–3.8 µm dalga boyu aralığına sahip kızılötesi dedektörlerin yapımı için ideal bir malzemedir. oda sıcaklığında, orta dalga boyundaki kızılötesi süper kafes lazerlerin yanı sıra, 2-14 μm dalga boyu aralığı için orta kızılötesi LED cihazları imalatı.Ayrıca InAs, heterojen InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb veya AlGaSb süper kafes yapısını vb. desteklemek için ideal bir substrattır.

Şimdi soruşturma

Detaylar

Etiketler

Teknik özellik

indiyum arsenit

InAs

İndiyum Arsenid Kristal GofretSalon cihazları ve manyetik alan sensörü yapmak için mükemmel bir alt tabakadır, ancak üstün salon hareketliliği, ancak dar enerji bant aralığı, oda sıcaklığında daha yüksek güç uygulamalarında kullanılan 1–3.8 µm dalga boyu aralığına sahip kızılötesi dedektörlerin yapımı için ideal bir malzemedir, orta dalga boyu kızılötesi süper kafes lazerlerin yanı sıra, 2-14 μm dalga boyu aralığı için orta kızılötesi LED'ler cihazları imalatı.Ayrıca InAs, heterojen InGaAs, InAsSb, InAsPSb & InNAsSb veya AlGaSb süper kafes yapısını vb. desteklemek için ideal bir substrattır.

Numara.	Öğeler	Standart Şartname
1	Boyut	2"	3"	4"
2	çap mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0.5
3	Büyüme Yöntemi	LEC	LEC	LEC
4	İletkenlik	P-tipi/Zn-katkılı, N-tipi/S-katkılı, Katkısız
5	Oryantasyon	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Kalınlık μm	500±25	600±25	800±25
7	Oryantasyon Düz mm	16±2	22±2	32±2
8	Tanımlama Düz mm	8±1	11±1	18±1
9	Hareketlilik cm2/Vs	60-300, ≥2000 veya gerektiği gibi
10	Taşıyıcı Konsantrasyonu cm-3	(3-80)E17 veya ≤5E16
11	TTV mikron maks	10	10	10
12	Yay μm maks	10	10	10
13	Çözgü μm maks	15	15	15
14	Çıkık Yoğunluğu cm-2 max	1000	2000	5000
15	Yüzey	P/K, P/P	P/K, P/P	P/K, P/P
16	Paketleme	Alüminyum torbada mühürlü tek gofret kabı.

Doğrusal Formül	InAs
Moleküler ağırlık	189.74
Kristal yapı	çinko karışımı
Dış görünüş	Gri kristal katı
Erime noktası	(936-942)°C
Kaynama noktası	Yok
300K'da yoğunluk	5,67 g/cm³
Enerji Boşluğu	0,354 eV
İç Direnç	0.16 Ω-cm
CAS numarası	1303-11-3
AT Numarası	215-115-3

İndiyum Arsenid InAsWestern Minmetals (SC) Corporation'da 2” 3” ve 4” (50mm, 75mm,100mm) çaplarında polikristal parça veya tek kristal kesilmiş, dağlanmış, cilalı veya epi-hazır gofretler olarak tedarik edilebilir ve p-tipi, n-tipi veya katkısız iletkenlik ve <111> veya <100> oryantasyonu.Özelleştirilmiş spesifikasyon, dünya çapındaki müşterilerimiz için mükemmel çözüm içindir.