Single Crystal Silicon Ingot Featured Image

Tek Kristal Silikon Külçe

Tanım

Tek Kristal Silikon Külçeis genellikle büyümüş doğru katkılama ve çekme teknolojileri Czochralski CZ, Manyetik alan kaynaklı Czochralski MCZ ve Floating Zone FZ yöntemleri ile büyük silindirik külçe olarak.CZ yöntemi, elektronik endüstrisinde yarı iletken cihazlar yapmak için kullanılan 300 mm çapa kadar büyük silindirik külçelerin silikon kristal büyümesi için en yaygın kullanılan yöntemdir.MCZ yöntemi, karşılaştırmalı olarak düşük oksijen konsantrasyonu, daha düşük kirlilik konsantrasyonu, daha düşük dislokasyon ve tek tip direnç varyasyonu elde edebilen bir elektromıknatıs tarafından oluşturulan bir manyetik alanın CZ yönteminin bir varyasyonudur.FZ yöntemi, 1000 Ω-cm üzerinde yüksek özdirenç ve düşük oksijen içerikli yüksek saflıkta kristal elde edilmesini kolaylaştırır.

Teslimat

Western Minmetals (SC) Corporation'da n-tipi veya p-tipi iletkenliğe sahip Tek Kristal Silikon Külçe CZ, MCZ, FZ veya FZ NTD, 50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm ve 200mm çapında (2, 3) teslim edilebilir. , 4, 6 ve 8 inç), <100>, <110>, <111> oryantasyonu, içi plastik torba paketinde, dışı karton kutuda topraklanmış veya mükemmel çözüme ulaşmak için özelleştirilmiş spesifikasyon olarak.

Şimdi soruşturma

Detaylar

Etiketler

Teknik özellik

Tek Kristal Silikon Külçe

Tek Kristal Silikon Külçe CZ, MCZ, FZ veya FZ NTDWestern Minmetals (SC) Corporation'da n-tipi veya p-tipi iletkenlik ile 50 mm, 75 mm, 100 mm, 125 mm, 150 mm ve 200 mm çap (2, 3, 4, 6 ve 8 inç) boyutlarında teslim edilebilir, yönlendirme <100 >, <110>, <111> yüzeyi topraklanmış, içte karton kutulu plastik torba paketinde veya mükemmel çözüme ulaşmak için özelleştirilmiş spesifikasyon olarak.

Numara.	Öğeler	Standart Şartname
1	Boyut	2", 3", 4", 5", 6", 8", 9,5", 10", 12"
2	çap mm	50.8-241.3 veya gerektiği gibi
3	Büyüme Yöntemi	CZ, MCZ, FZ, FZ-NTD
4	İletkenlik Türü	P-tipi / Bor katkılı, N-tipi / Fosfit katkılı veya Katkısız
5	uzunluk mm	≥180 veya gerektiği gibi
6	Oryantasyon	<100>, <110>, <111>
7	Direnç Ω-cm	Gereğince, gerektiği gibi
8	Karbon İçeriği a/cm³	≤5E16 veya gerektiği gibi
9	Oksijen İçeriği a/cm³	≤1E18 veya gerektiği gibi
10	Metal Kirliliği a/cm³	<5E10 (Cu, Cr, Fe, Ni) veya <3E10 (Al, Ca, Na, K, Zn)
11	Paketleme	İçi plastik torba, dış kontrplak kutu veya karton kutu.

Sembol	Si
Atomik numara	14
Atom ağırlığı	28.09
Eleman Kategorisi	metaloid
Grup, Dönem, Blok	14, 3, P
Kristal yapı	Elmas
Renk	Koyu gri
Erime noktası	1414°C, 1687.15 K
Kaynama noktası	3265 °C, 3538,15 K
300K'da yoğunluk	2.329 gr/cm3³
içsel direnç	3.2E5 Ω-cm
CAS numarası	7440-21-3
AT Numarası	231-130-8

Tek Kristal Silikon Külçe, tamamen büyütüldüğünde ve özdirenci, kirlilik içeriği, kristal mükemmelliği, boyutu ve ağırlığı, doğru çapta mükemmel bir silindir yapmak için elmas çarklar kullanılarak topraklanır, daha sonra taşlama işleminin bıraktığı mekanik kusurları gidermek için bir dağlama işleminden geçer. .Daha sonra silindirik külçe belirli uzunlukta bloklar halinde kesilir ve akış aşağı gofret dilimleme işleminden önce kristalografik oryantasyonu ve iletkenliği tanımlamak için hizalama için otomatik gofret işleme sistemleri tarafından çentik ve birincil veya ikincil düz verilir.