İndiyum Antimonit InSb

Tanım

Indyum Antimonid InSb, çinko-blend kafes yapısına sahip grup III-V kristalli bileşiklerin bir yarı iletkeni, 6N 7N yüksek saflıkta İndiyum ve antimon elementleri ile sentezlenir ve çok bölgeli rafine polikristal külçeden VGF yöntemi veya Sıvı Kapsüllü Czochralski LEC yöntemi ile tek kristal büyütülür, dilimlenebilir ve gofret haline getirilebilir ve daha sonra bloke edilebilir.InSb, oda sıcaklığında 0.17eV dar bant aralığına, 1-5μm dalga boyuna karşı yüksek hassasiyete ve ultra yüksek salon hareketliliğine sahip doğrudan geçişli bir yarı iletkendir.Western Minmetals (SC) Corporation'da Indium Antimonide InSb n-tipi, p-tipi ve yarı yalıtkan iletkenlik 1″ 2″ 3″ ve 4″ (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) çap boyutlarında sunulabilir, oryantasyon < 111> veya <100> ve kesilmiş, bindirilmiş, dağlanmış ve cilalanmış gofret yüzeyli.Katkısız n-tipi ile Dia.50-80mm Indium Antimonide InSb hedefi de mevcuttur.Bu arada, düzensiz topak veya boş (15-40) x (40-80) mm ve yuvarlak çubuk D30-80mm olan polikristal indiyum antimonit InSb (çok kristalli InSb) de istek üzerine mükemmel çözüm için özelleştirilir.

Başvuru

Indium Antimonide InSb, gelişmiş termal görüntüleme çözümü, FLIR sistemi, salon elemanı ve manyeto direnç efekti elemanı, kızılötesi güdümlü füze güdüm sistemi, yüksek duyarlı Kızılötesi fotodetektör sensörü gibi birçok son teknoloji ürünü bileşen ve cihazın üretimi için ideal bir substrattır. , yüksek hassasiyetli manyetik ve döner direnç sensörü, odak düzlemsel diziler ve ayrıca terahertz radyasyon kaynağı olarak ve kızılötesi astronomik uzay teleskopu vb.

Şimdi soruşturma

Detaylar

Etiketler

Teknik özellik

İndiyum Antimonid

InSb

İndiyum Antimonit Substrat(InSb Yüzey, InSb Gofret) Western Minmetals (SC) Corporation'da n-tipi veya p-tipi, 1" 2" 3" ve 4" (30, 50, 75 ve 100mm) çapında, <111> veya <100> yönelimli olarak sunulabilir ve leplenmiş, dağlanmış, cilalı cilalı gofret yüzeyli İndiyum Antimonid Tek Kristal çubuk (InSb Monokristal çubuk) istek üzerine de temin edilebilir.

İndiyum AntimonidPDüzensiz yumru boyutuna sahip olikristalin (InSb Polikristalin veya çok kristalli InSb) veya boş (15-40)x(40-80)mm de istek üzerine mükemmel çözüm için özelleştirilebilir.

Bu arada, katkısız n-tipi ile Dia.50-80mm İndiyum Antimonit Hedefi (InSb Hedefi) de mevcuttur.

Numara.	Öğeler	Standart Şartname
1	İndiyum Antimonit Substrat	2"	3"	4"
2	çap mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0.5
3	Büyüme Yöntemi	LEC	LEC	LEC
4	İletkenlik	P-tipi/Zn,Ge katkılı, N-tipi/Te katkılı, Katkısız
5	Oryantasyon	(100)±0.5°, (111)±0.5°
6	Kalınlık μm	500±25	600±25	800±25
7	Oryantasyon Düz mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Tanımlama Düz mm	8±1	11±1	18±1
9	Hareketlilik cm2/Vs	1-7E5 N/katkısız ， 3E5-2E4 N/Te katkılı, 8-0.6E3 veya ≤8E13 P/Ge katkılı
10	Taşıyıcı Konsantrasyonu cm-3	6E13-3E14 N/katkısız, 3E14-2E18 N/Te katkılı, 1E14-9E17 veya <1E14 P/Ge katkılı
11	TTV mikron maks	15	15	15
12	Yay μm maks	15	15	15
13	Çözgü μm maks	20	20	20
14	Çıkık Yoğunluğu cm-2 max	50	50	50
15	Yüzey	P/K, P/P	P/K, P/P	P/K, P/P
16	Paketleme	Alüminyum torbada mühürlü tek gofret kabı.

Numara.	Öğeler	Standart Şartname
Numara.	Öğeler	Indyum Antimonid Polikristal	İndiyum Antimonid Hedefi
1	İletkenlik	katkısız	katkısız
2	Taşıyıcı Konsantrasyonu cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Hareketlilik cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Boyut	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Paketleme	Kompozit alüminyum torbada, karton kutu dışında

Doğrusal Formül	InSb
Moleküler ağırlık	236,58
Kristal yapı	çinko karışımı
Dış görünüş	Koyu gri metalik kristaller
Erime noktası	527 °C
Kaynama noktası	Yok
300K'da yoğunluk	5,78 g/cm³
Enerji Boşluğu	0.17 eV
içsel direnç	4E(-3) Ω-cm
CAS numarası	1312-41-0
AT Numarası	215-192-3

İndiyum Antimonit InSbgofret, gelişmiş termal görüntüleme çözümü, FLIR sistemi, salon elemanı ve manyeto direnç efekti elemanı, kızılötesi güdümlü füze güdüm sistemi, yüksek duyarlı Kızılötesi fotodetektör sensörü, yüksek - hassas manyetik ve döner direnç sensörü, odak düzlemsel diziler ve ayrıca terahertz radyasyon kaynağı ve kızılötesi astronomik uzay teleskopu vb.